시스템 반도체 소재 스타트업 아이브이웍스가 미국 IntelliEPI사와 분자선증착기(MBE, Molecular Beam Epitaxy)를 이용한 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 대량생산 및 마케팅 협력을 위한 파트너십을 체결, 5G 통신 및 전기차·전력반도체의 핵심소재 GaN 에피웨이퍼 시장 확대에 공동 대응하기로 했다.

아이브이웍스는 딥러닝 기반의 인공지능 기술로 반도체 박막 소재를 원자층 수준으로 정밀 제어하는 반도체 소재 생산기술을 개발하였으며, GaN 에피웨이퍼 생산에 적용하여 국내 최초로 GaN 에피웨이퍼 생산을 시작했다.

▲ 아이브이웍스의 200mm GaN HFET on Si 에피웨이퍼

IntelliEPI는 대형 양산용 MBE를 이용해 As(비소), P(인), Sb(안티모니) 계열의 화합물반도체 에피웨이퍼를 전문 생산하는 미국 반도체 소재 기업으로, 고성능 전자소자 및 광소자 등의 광범위한 에피웨이퍼 제품군을 보유하고 있다.

IntelliEPI의 20년 이상 쌓아온 대형 양산 MBE를 이용한 대구경 에피웨이퍼 대량생산기술 및 반도체 소재 비즈니스 경험 등의 강점을 아이브이웍스의 GaN 생산기술과 접목해 GaN 에피웨이퍼 비즈니스를 빠르게 확대해 나갈 예정이다.

▲ 아이브이웍스의 AI 에피텍시 플랫폼 DOMM™

IntelliEPI의 CEO Yung-Chung Kao는 “이번 파트너십으로 아이브이웍스의 첨단 MBE, 인공지능 기술이 IntelliEPI의 대규모 생산 능력과 장비 경험에 결합될 것”이라며 “양사 간 협력을 통해 통신 및 전력반도체 시장 확대에 대응하여 MBE를 이용한 GaN 기술을 선보이고 글로벌 비즈니스 개발에 적극적으로 나설 것”이라고 밝혔다.

아이브이웍스 노영균 대표는 “IntelliEpi의 통신 및 광소자 에피웨이퍼 사업에 대한 오랜 경험과 대형 MBE를 이용한 양산기술 및 노하우 덕분에 GaN 에피웨이퍼 사업의 경쟁력을 대폭 강화할 수 있을 것”이라며 “이번 파트너십으로 시스템반도체 시장에서 급격히 증가하고 있는 고품질 GaN 에피웨이퍼 수요에 선제적으로 대응하겠다”고 강조했다.